casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NST3906DP6T5G
codice articolo del costruttore | NST3906DP6T5G |
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Numero di parte futuro | FT-NST3906DP6T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NST3906DP6T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-963 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-963 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NST3906DP6T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NST3906DP6T5G-FT |
EMX3T2R
Rohm Semiconductor
EMX5T2R
Rohm Semiconductor
EMZ2T2R
Rohm Semiconductor
EMY1T2R
Rohm Semiconductor
VT6T1T2R
Rohm Semiconductor
VT6X11T2R
Rohm Semiconductor
VT6T11T2R
Rohm Semiconductor
VT6T12T2R
Rohm Semiconductor
VT6T2T2R
Rohm Semiconductor
VT6X12T2R
Rohm Semiconductor
LCMXO2-256HC-6SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S50-4PQG208I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C10U256I7N
Intel
EP2AGX45DF25C5G
Intel
A40MX02-2PQG100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC356-1
Intel