casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NST847BPDP6T5G
codice articolo del costruttore | NST847BPDP6T5G |
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Numero di parte futuro | FT-NST847BPDP6T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NST847BPDP6T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-963 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-963 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NST847BPDP6T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NST847BPDP6T5G-FT |
EMY1T2R
Rohm Semiconductor
VT6T1T2R
Rohm Semiconductor
VT6X11T2R
Rohm Semiconductor
VT6T11T2R
Rohm Semiconductor
VT6T12T2R
Rohm Semiconductor
VT6T2T2R
Rohm Semiconductor
VT6X12T2R
Rohm Semiconductor
UMZ1NTR
Rohm Semiconductor
UMZ2NTR
Rohm Semiconductor
UMT1NTN
Rohm Semiconductor
EPF10K30ETC144-1N
Intel
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG676C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-FCSG325I
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256A7G
Intel
5SGXEB5R2F43I3LN
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation