casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NST847BPDP6T5G
codice articolo del costruttore | NST847BPDP6T5G |
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Numero di parte futuro | FT-NST847BPDP6T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NST847BPDP6T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-963 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-963 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NST847BPDP6T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NST847BPDP6T5G-FT |
EMY1T2R
Rohm Semiconductor
VT6T1T2R
Rohm Semiconductor
VT6X11T2R
Rohm Semiconductor
VT6T11T2R
Rohm Semiconductor
VT6T12T2R
Rohm Semiconductor
VT6T2T2R
Rohm Semiconductor
VT6X12T2R
Rohm Semiconductor
UMZ1NTR
Rohm Semiconductor
UMZ2NTR
Rohm Semiconductor
UMT1NTN
Rohm Semiconductor
XC2S100-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S700A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XCVU095-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
A54SX32A-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMB5R2F43I3N
Intel
5CGXBC9C7F23C8N
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel