casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NST847BPDP6T5G
codice articolo del costruttore | NST847BPDP6T5G |
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Numero di parte futuro | FT-NST847BPDP6T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NST847BPDP6T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-963 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-963 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NST847BPDP6T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NST847BPDP6T5G-FT |
EMY1T2R
Rohm Semiconductor
VT6T1T2R
Rohm Semiconductor
VT6X11T2R
Rohm Semiconductor
VT6T11T2R
Rohm Semiconductor
VT6T12T2R
Rohm Semiconductor
VT6T2T2R
Rohm Semiconductor
VT6X12T2R
Rohm Semiconductor
UMZ1NTR
Rohm Semiconductor
UMZ2NTR
Rohm Semiconductor
UMT1NTN
Rohm Semiconductor
A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S1500L-4FGG320C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF40I3N
Intel
5SGXEA7K2F35I3L
Intel
AX500-1FGG676I
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP2S90F1508I4
Intel
EP2C20Q240C8
Intel