casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / EMT1DXV6T1G
codice articolo del costruttore | EMT1DXV6T1G |
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Numero di parte futuro | FT-EMT1DXV6T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMT1DXV6T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | 140MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMT1DXV6T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMT1DXV6T1G-FT |
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