casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSVMUN5233DW1T3G
codice articolo del costruttore | NSVMUN5233DW1T3G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVMUN5233DW1T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVMUN5233DW1T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5233DW1T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVMUN5233DW1T3G-FT |
EMG2DXV5T5G
ON Semiconductor
EMC2DXV5T1G
ON Semiconductor
EMA6DXV5T1
ON Semiconductor
EMA6DXV5T1G
ON Semiconductor
EMA6DXV5T5G
ON Semiconductor
EMC2DXV5T1
ON Semiconductor
EMC5DXV5T1
ON Semiconductor
EMG2DXV5T1
ON Semiconductor
EMG2DXV5T1G
ON Semiconductor
EMG2DXV5T5
ON Semiconductor
XC7A100T-1FTG256C
Xilinx Inc.
LFE5UM5G-85F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4020XL-2HT176I
Xilinx Inc.
10M08DCF484I7G
Intel
5SGXMA4K1F40C1N
Intel
5SGXMA5N3F45I3LN
Intel
A1020B-1PLG44I
Microsemi Corporation
XC4044XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
10AX032E1F29E1SG
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel