casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSVMUN5233DW1T3G
codice articolo del costruttore | NSVMUN5233DW1T3G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVMUN5233DW1T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVMUN5233DW1T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5233DW1T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVMUN5233DW1T3G-FT |
EMG2DXV5T5G
ON Semiconductor
EMC2DXV5T1G
ON Semiconductor
EMA6DXV5T1
ON Semiconductor
EMA6DXV5T1G
ON Semiconductor
EMA6DXV5T5G
ON Semiconductor
EMC2DXV5T1
ON Semiconductor
EMC5DXV5T1
ON Semiconductor
EMG2DXV5T1
ON Semiconductor
EMG2DXV5T1G
ON Semiconductor
EMG2DXV5T5
ON Semiconductor
XC3S1500-4FG320I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-4300C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FF676I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324C
Xilinx Inc.
AGL125V5-FG144
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP20K300EQC240-2X
Intel