casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / IXXN100N60B3H1
codice articolo del costruttore | IXXN100N60B3H1 |
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Numero di parte futuro | FT-IXXN100N60B3H1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | XPT™, GenX3™ |
IXXN100N60B3H1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 170A |
Potenza - Max | 500W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 70A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 4.86nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXXN100N60B3H1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXXN100N60B3H1-FT |
APT100GT120JU2
Microsemi Corporation
APT150GN60JDQ4
Microsemi Corporation
APT200GN60JDQ4
Microsemi Corporation
APT35GT120JU2
Microsemi Corporation
APT35GT120JU3
Microsemi Corporation
APT75GT120JU3
Microsemi Corporation
APT45GP120JDQ2
Microsemi Corporation
APT60GF120JRDQ3
Microsemi Corporation
APT100GT120JRDQ4
Microsemi Corporation
APT50GF120JRDQ3
Microsemi Corporation
ICE65L01F-LCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08-1VQG100
Microsemi Corporation
EP20K60EFC144-1X
Intel
XC4010XL-3BG256C
Xilinx Inc.
XCV150-4BG256C
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FF1148I
Xilinx Inc.
5AGXBA7D4F31C4N
Intel
EP20K200EQI240-2N
Intel
EPF10K50VQC240-2N
Intel