casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APT35GT120JU3
codice articolo del costruttore | APT35GT120JU3 |
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Numero di parte futuro | FT-APT35GT120JU3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT35GT120JU3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 55A |
Potenza - Max | 260W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2.53nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ISOTOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT35GT120JU3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT35GT120JU3-FT |
APTGT300A170G
Microsemi Corporation
APTGT200TL60G
Microsemi Corporation
APTGT200DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DU120G
Microsemi Corporation
APTGT200DA60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT200A60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT200A602G
Microsemi Corporation
APTGT200A120G
Microsemi Corporation
APTGT150TL60G
Microsemi Corporation
APTGT150SK120G
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG68
Microsemi Corporation
XCS10-3TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016ATC100-1
Intel
10CL006YU256I7G
Intel
EP3SE110F1152I4N
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation