casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APT35GT120JU2
codice articolo del costruttore | APT35GT120JU2 |
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Numero di parte futuro | FT-APT35GT120JU2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT35GT120JU2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 55A |
Potenza - Max | 260W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2.53nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ISOTOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT35GT120JU2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT35GT120JU2-FT |
APTGT300A60TG
Microsemi Corporation
APTGT300A170G
Microsemi Corporation
APTGT200TL60G
Microsemi Corporation
APTGT200DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DU120G
Microsemi Corporation
APTGT200DA60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT200A60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT200A602G
Microsemi Corporation
APTGT200A120G
Microsemi Corporation
APTGT150TL60G
Microsemi Corporation
A1425A-1PQG100I
Microsemi Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208I
Microsemi Corporation
MPF500T-FCG1152E
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
EP4SGX290NF45I3N
Intel
XC7K70T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS150F780C7N
Intel