casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APT75GT120JU3
codice articolo del costruttore | APT75GT120JU3 |
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Numero di parte futuro | FT-APT75GT120JU3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT75GT120JU3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100A |
Potenza - Max | 416W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 5.34nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ISOTOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT75GT120JU3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT75GT120JU3-FT |
APTGT200TL60G
Microsemi Corporation
APTGT200DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DU120G
Microsemi Corporation
APTGT200DA60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT200A60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT200A602G
Microsemi Corporation
APTGT200A120G
Microsemi Corporation
APTGT150TL60G
Microsemi Corporation
APTGT150SK120G
Microsemi Corporation
APTGT150DU120TG
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7N
Intel
5SEE9F45I2N
Intel
5SGXMA5N2F45I2LN
Intel
LFE3-150EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E1F29E1HG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel
EP20K100EQI208-3
Intel
EPF10K30AQI208-3
Intel