casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APT75GT120JU3
codice articolo del costruttore | APT75GT120JU3 |
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Numero di parte futuro | FT-APT75GT120JU3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT75GT120JU3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100A |
Potenza - Max | 416W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 5.34nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ISOTOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT75GT120JU3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT75GT120JU3-FT |
APTGT200TL60G
Microsemi Corporation
APTGT200DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DU120G
Microsemi Corporation
APTGT200DA60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT200A60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT200A602G
Microsemi Corporation
APTGT200A120G
Microsemi Corporation
APTGT150TL60G
Microsemi Corporation
APTGT150SK120G
Microsemi Corporation
APTGT150DU120TG
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
5SGXMA3E2H29C3N
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
XA7A35T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C6N
Intel
5CEFA7F31C7N
Intel
10AX066K2F40I2LG
Intel