casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFV18N60PS
codice articolo del costruttore | IXFV18N60PS |
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Numero di parte futuro | FT-IXFV18N60PS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFV18N60PS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 360W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS-220SMD |
Pacchetto / caso | PLUS-220SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFV18N60PS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFV18N60PS-FT |
IRLR4132TRPBF
Infineon Technologies
IRLW510ATM
ON Semiconductor
IRLW610ATM
ON Semiconductor
IRLW630ATM
ON Semiconductor
ISL9N302AS3
ON Semiconductor
ISL9N303AS3
ON Semiconductor
ITD50N04S4L04ATMA1
Infineon Technologies
IXFB30N120Q2
IXYS
IXFC10N80P
IXYS
IXFC110N10P
IXYS
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation