casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / ISL9N302AS3
codice articolo del costruttore | ISL9N302AS3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-ISL9N302AS3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
ISL9N302AS3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11000pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 345W (Tc) |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISL9N302AS3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISL9N302AS3-FT |
IPS70R600CEAKMA2
Infineon Technologies
IPT029N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPT043N15N5ATMA1
Infineon Technologies
IPT210N25NFDATMA1
Infineon Technologies
IPU60R2K1CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU60R3K4CEAKMA1
Infineon Technologies
IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R075CPAFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R041CFDFKSA2
Infineon Technologies
IPW65R080CFDFKSA2
Infineon Technologies
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.