casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRLW610ATM
codice articolo del costruttore | IRLW610ATM |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IRLW610ATM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRLW610ATM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.65A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 33W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLW610ATM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLW610ATM-FT |
IPS70N10S3L-12
Infineon Technologies
IPS70R2K0CEE8211
Infineon Technologies
IPS70R600CEAKMA2
Infineon Technologies
IPT029N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPT043N15N5ATMA1
Infineon Technologies
IPT210N25NFDATMA1
Infineon Technologies
IPU60R2K1CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU60R3K4CEAKMA1
Infineon Technologies
IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R075CPAFKSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel