casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFC110N10P
codice articolo del costruttore | IXFC110N10P |
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Numero di parte futuro | FT-IXFC110N10P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFC110N10P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3550pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 120W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS220™ |
Pacchetto / caso | ISOPLUS220™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFC110N10P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFC110N10P-FT |
IPU60R3K4CEAKMA1
Infineon Technologies
IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R075CPAFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R041CFDFKSA2
Infineon Technologies
IPW65R080CFDFKSA2
Infineon Technologies
IPW65R110CFDFKSA2
Infineon Technologies
IPW65R150CFDFKSA2
Infineon Technologies
IPW65R190CFDFKSA2
Infineon Technologies
IPW65R420CFDFKSA2
Infineon Technologies
IPW80R290C3AFKSA1
Infineon Technologies
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel