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ON Semiconductor IRLW510ATM

Numero parte MFG
IRLW510ATM
quantità disponibile
60020 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRLW510ATM specificazioni

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Numero di parte futuro FT-IRLW510ATM
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IRLW510ATM Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440 mOhm @ 2.8A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 235pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 37W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK (TO-262)
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLW510ATM Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRLW510ATM-FT

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