casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / ISL9N303AS3
codice articolo del costruttore | ISL9N303AS3 |
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Numero di parte futuro | FT-ISL9N303AS3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
ISL9N303AS3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 172nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7000pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 215W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISL9N303AS3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISL9N303AS3-FT |
IPT029N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPT043N15N5ATMA1
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IPT210N25NFDATMA1
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IPU60R2K1CEAKMA1
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IPU60R3K4CEAKMA1
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IPW60R017C7XKSA1
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IPW60R075CPAFKSA1
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IPW65R041CFDFKSA2
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IPW65R080CFDFKSA2
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IPW65R110CFDFKSA2
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XC3164A-3TQ144C
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XC7S100-2FGGA484I
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M1A3P400-1FGG484
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A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
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EP4SGX360NF45C3N
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XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
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EP2AGX65CU17C4G
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5AGXFB1H4F35C4N
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