casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFK38N80Q2
codice articolo del costruttore | IXFK38N80Q2 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IXFK38N80Q2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFK38N80Q2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 38A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8340pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 735W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264AA (IXFK) |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK38N80Q2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFK38N80Q2-FT |
IXFB210N20P
IXYS
IXFB300N10P
IXYS
IXFB30N120P
IXYS
IXFB44N100P
IXYS
IXFB52N90P
IXYS
IXFB62N80Q3
IXYS
IXFB82N60P
IXYS
IXFB82N60Q3
IXYS
IXFK102N30P
IXYS
IXFK120N20P
IXYS
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel