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IXYS IXFB30N120P

Name: IXFB30N120P
Brand: IXYS
SKU: IXFB30N120P
Price: 23.7728 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (668 reviews)

Numero parte MFG: IXFB30N120P

quantità disponibile: 85110 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 23.7728

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: HiPerFET™, PolarP2™ MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXFB30N120P.pdf

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IXFB30N120P specificazioni

codice articolo del costruttore	IXFB30N120P
Numero di parte futuro	FT-IXFB30N120P
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™, PolarP2™
IXFB30N120P Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	310nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	22500pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1250W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PLUS264™
Pacchetto / caso	TO-264-3, TO-264AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFB30N120P Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXFB30N120P-FT

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