casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFB300N10P
codice articolo del costruttore | IXFB300N10P |
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Numero di parte futuro | FT-IXFB300N10P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFB300N10P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 300A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 279nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1500W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS264™ |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFB300N10P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFB300N10P-FT |
APT28F60S
Microsemi Corporation
APT30M70SVRG
Microsemi Corporation
APT30M85SVFRG
Microsemi Corporation
APT40SM120S
Microsemi Corporation
APT5020SVRG
Microsemi Corporation
APT9F100S
Microsemi Corporation
APTML100U60R020T1AG
Microsemi Corporation
APTM50UM09FAG
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APTM20UM03FAG
Microsemi Corporation
APTM20SKM04G
Microsemi Corporation
A3P1000L-FG484
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M1A3P600L-FGG484
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A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
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10AX090N4F40I3LG
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EP2C20Q240C8N
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