casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFB62N80Q3
codice articolo del costruttore | IXFB62N80Q3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFB62N80Q3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFB62N80Q3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 62A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 31A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1560W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS264™ |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFB62N80Q3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFB62N80Q3-FT |
APT5020SVRG
Microsemi Corporation
APT9F100S
Microsemi Corporation
APTML100U60R020T1AG
Microsemi Corporation
APTM50UM09FAG
Microsemi Corporation
APTM20UM03FAG
Microsemi Corporation
APTM20SKM04G
Microsemi Corporation
APTM20DAM05G
Microsemi Corporation
APTM120U10SCAVG
Microsemi Corporation
APTM120U10SAG
Microsemi Corporation
APTM120DA30CT1G
Microsemi Corporation
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
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LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
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LFXP6C-5Q208C
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5AGXFB3H4F35C5N
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10AX016E3F27I1HG
Intel