casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFB44N100P
codice articolo del costruttore | IXFB44N100P |
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Numero di parte futuro | FT-IXFB44N100P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFB44N100P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 44A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 305nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 19000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS264™ |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFB44N100P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFB44N100P-FT |
APT30M85SVFRG
Microsemi Corporation
APT40SM120S
Microsemi Corporation
APT5020SVRG
Microsemi Corporation
APT9F100S
Microsemi Corporation
APTML100U60R020T1AG
Microsemi Corporation
APTM50UM09FAG
Microsemi Corporation
APTM20UM03FAG
Microsemi Corporation
APTM20SKM04G
Microsemi Corporation
APTM20DAM05G
Microsemi Corporation
APTM120U10SCAVG
Microsemi Corporation
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel