casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFB82N60Q3
codice articolo del costruttore | IXFB82N60Q3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFB82N60Q3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFB82N60Q3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 82A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 41A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 275nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1560W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS264™ |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFB82N60Q3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFB82N60Q3-FT |
APTML100U60R020T1AG
Microsemi Corporation
APTM50UM09FAG
Microsemi Corporation
APTM20UM03FAG
Microsemi Corporation
APTM20SKM04G
Microsemi Corporation
APTM20DAM05G
Microsemi Corporation
APTM120U10SCAVG
Microsemi Corporation
APTM120U10SAG
Microsemi Corporation
APTM120DA30CT1G
Microsemi Corporation
APTM10UM01FAG
Microsemi Corporation
APTM100UM65SAG
Microsemi Corporation
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel