casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFK36N60
codice articolo del costruttore | IXFK36N60 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFK36N60 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFK36N60 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 325nC @ 25V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264AA (IXFK) |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK36N60 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFK36N60-FT |
IXFB170N30P
IXYS
IXFB210N20P
IXYS
IXFB300N10P
IXYS
IXFB30N120P
IXYS
IXFB44N100P
IXYS
IXFB52N90P
IXYS
IXFB62N80Q3
IXYS
IXFB82N60P
IXYS
IXFB82N60Q3
IXYS
IXFK102N30P
IXYS
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation