casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFK120N30T
codice articolo del costruttore | IXFK120N30T |
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Numero di parte futuro | FT-IXFK120N30T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GigaMOS™ |
IXFK120N30T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 265nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 20000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 960W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264AA (IXFK) |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK120N30T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFK120N30T-FT |
APTM20DAM05G
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APTM120U10SCAVG
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APTM120U10SAG
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APTM120DA30CT1G
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APTM10UM01FAG
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APTM100UM65SAG
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APTM100UM45FAG
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APTM100UM45DAG
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APTC90DAM60T1G
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APTC60SKM24T1G
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