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Microsemi Corporation APTM100UM45DAG

Numero parte MFG
APTM100UM45DAG
quantità disponibile
52230 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 221.056
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Data di spedizione
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
POWER MOS 7® MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore APTM100UM45DAG
Numero di parte futuro FT-APTM100UM45DAG
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie POWER MOS 7®
APTM100UM45DAG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 215A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 107.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 30mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1602nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 42700pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 5000W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SP6
Pacchetto / caso SP6
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM100UM45DAG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APTM100UM45DAG-FT

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