casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APTM100UM45FAG
codice articolo del costruttore | APTM100UM45FAG |
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Numero di parte futuro | FT-APTM100UM45FAG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTM100UM45FAG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 215A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 107.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 30mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1602nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 42700pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 5000W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
Pacchetto / caso | SP6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM100UM45FAG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTM100UM45FAG-FT |
APT10045JLL
Microsemi Corporation
APT21M100J
Microsemi Corporation
APT10021JFLL
Microsemi Corporation
APT30F60J
Microsemi Corporation
APT47M60J
Microsemi Corporation
APT60M75JFLL
Microsemi Corporation
APT19M120J
Microsemi Corporation
APT58M80J
Microsemi Corporation
APT19F100J
Microsemi Corporation
APT10M11JVRU3
Microsemi Corporation
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel