casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APTM100UM65SAG
codice articolo del costruttore | APTM100UM65SAG |
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Numero di parte futuro | FT-APTM100UM65SAG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTM100UM65SAG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 145A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 72.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 20mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1068nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 28500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
Pacchetto / caso | SP6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM100UM65SAG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTM100UM65SAG-FT |
APT80F60J
Microsemi Corporation
APT10045JLL
Microsemi Corporation
APT21M100J
Microsemi Corporation
APT10021JFLL
Microsemi Corporation
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APT58M80J
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APT19F100J
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XC4005XL-2PQ100I
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XC2VP4-5FG456C
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EPF10K100AFC484-3
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XC2V8000-4FFG1152C
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LCMXO2-4000HE-4BG256I
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