casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APTM120DA30CT1G
codice articolo del costruttore | APTM120DA30CT1G |
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Numero di parte futuro | FT-APTM120DA30CT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APTM120DA30CT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 31A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 560nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14560pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 657W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
Pacchetto / caso | SP1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM120DA30CT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTM120DA30CT1G-FT |
APT39M60J
Microsemi Corporation
APT80M60J
Microsemi Corporation
APT80F60J
Microsemi Corporation
APT10045JLL
Microsemi Corporation
APT21M100J
Microsemi Corporation
APT10021JFLL
Microsemi Corporation
APT30F60J
Microsemi Corporation
APT47M60J
Microsemi Corporation
APT60M75JFLL
Microsemi Corporation
APT19M120J
Microsemi Corporation
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel