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Microsemi Corporation APTM120U10SAG

Numero parte MFG
APTM120U10SAG
quantità disponibile
29780 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 151.52464
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Data di spedizione
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore APTM120U10SAG
Numero di parte futuro FT-APTM120U10SAG
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APTM120U10SAG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 116A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1100nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 28900pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3290W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SP6
Pacchetto / caso SP6
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM120U10SAG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APTM120U10SAG-FT

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