casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFK120N25P
codice articolo del costruttore | IXFK120N25P |
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Numero di parte futuro | FT-IXFK120N25P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PolarHT™ HiPerFET™ |
IXFK120N25P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 185nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 700W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264AA (IXFK) |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK120N25P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFK120N25P-FT |
APTM20SKM04G
Microsemi Corporation
APTM20DAM05G
Microsemi Corporation
APTM120U10SCAVG
Microsemi Corporation
APTM120U10SAG
Microsemi Corporation
APTM120DA30CT1G
Microsemi Corporation
APTM10UM01FAG
Microsemi Corporation
APTM100UM65SAG
Microsemi Corporation
APTM100UM45FAG
Microsemi Corporation
APTM100UM45DAG
Microsemi Corporation
APTC90DAM60T1G
Microsemi Corporation
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel