casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXBT20N300HV
codice articolo del costruttore | IXBT20N300HV |
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Numero di parte futuro | FT-IXBT20N300HV |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BIMOSFET™ |
IXBT20N300HV Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3000V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 140A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 20A |
Potenza - Max | 250W |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 105nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
Condizione di test | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.35µs |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXBT20N300HV Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXBT20N300HV-FT |
APT75GP120B2G
Microsemi Corporation
APT65GP60B2G
Microsemi Corporation
APT45GP120B2DQ2G
Microsemi Corporation
APT33GF120B2RDQ2G
Microsemi Corporation
APT100GN120B2G
Microsemi Corporation
APT25GN120B2DQ2G
Microsemi Corporation
APT68GA60B2D40
Microsemi Corporation
APT100GN60B2G
Microsemi Corporation
APT150GN60B2G
Microsemi Corporation
APT50GF120B2RG
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
XC7K325T-3FBG900E
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
A3P250-2FGG144
Microsemi Corporation
ICE40LP384-CM36TR
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC7D7F31C8N
Intel
AT6002LV-4JC
Microchip Technology