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Microsemi Corporation APT33GF120B2RDQ2G

Numero parte MFG
APT33GF120B2RDQ2G
quantità disponibile
19760 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 15.44
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
- IGBT 1200V 64A 357W TMAX
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - IGBT - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore APT33GF120B2RDQ2G
Numero di parte futuro FT-APT33GF120B2RDQ2G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APT33GF120B2RDQ2G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 64A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 25A
Potenza - Max 357W
Cambiare energia 1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 170nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 14ns/185ns
Condizione di test 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3 Variant
Pacchetto dispositivo fornitore -
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT33GF120B2RDQ2G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APT33GF120B2RDQ2G-FT

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