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Microsemi Corporation APT68GA60B2D40

Name: APT68GA60B2D40
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT68GA60B2D40
Price: 8.480136 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (118 reviews)

Numero parte MFG: APT68GA60B2D40

quantità disponibile: 11690 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 8.480136

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: POWER MOS 8™ IGBT 600V 121A 520W TO-247

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: APT68GA60B2D40.pdf

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APT68GA60B2D40 specificazioni

codice articolo del costruttore	APT68GA60B2D40
Numero di parte futuro	FT-APT68GA60B2D40
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	POWER MOS 8™
APT68GA60B2D40 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo IGBT	PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	121A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	202A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 40A
Potenza - Max	520W
Cambiare energia	715µJ (on), 607µJ (off)
Tipo di input	Standard
Carica del cancello	198nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	21ns/133ns
Condizione di test	400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	-
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-247-3 Variant
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT68GA60B2D40 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	APT68GA60B2D40-FT

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