casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / APT100GN120B2G
codice articolo del costruttore | APT100GN120B2G |
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Numero di parte futuro | FT-APT100GN120B2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT100GN120B2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 245A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 300A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Potenza - Max | 960W |
Cambiare energia | 11mJ (on), 9.5mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 540nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 50ns/615ns |
Condizione di test | 800V, 100A, 1 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT100GN120B2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT100GN120B2G-FT |
APT80GA90LD40
Microsemi Corporation
APT150GN60LDQ4G
Microsemi Corporation
APT68GA60LD40
Microsemi Corporation
APT75GN60LDQ3G
Microsemi Corporation
APT35GN120L2DQ2G
Microsemi Corporation
APT50GR120L
Microsemi Corporation
APT70GR120L
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APT85GR120L
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APT33GF120LRDQ2G
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APT65GP60L2DQ2G
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