casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / APT100GN120B2G
codice articolo del costruttore | APT100GN120B2G |
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Numero di parte futuro | FT-APT100GN120B2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT100GN120B2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 245A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 300A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Potenza - Max | 960W |
Cambiare energia | 11mJ (on), 9.5mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 540nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 50ns/615ns |
Condizione di test | 800V, 100A, 1 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT100GN120B2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT100GN120B2G-FT |
APT80GA90LD40
Microsemi Corporation
APT150GN60LDQ4G
Microsemi Corporation
APT68GA60LD40
Microsemi Corporation
APT75GN60LDQ3G
Microsemi Corporation
APT35GN120L2DQ2G
Microsemi Corporation
APT50GR120L
Microsemi Corporation
APT70GR120L
Microsemi Corporation
APT85GR120L
Microsemi Corporation
APT33GF120LRDQ2G
Microsemi Corporation
APT65GP60L2DQ2G
Microsemi Corporation
XA2S50E-6TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200HC-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XCV150-4FG456I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE260F1152C4
Intel
A42MX16-FPQ160
Microsemi Corporation
LFE2-35SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation