casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / APT75GP120B2G
codice articolo del costruttore | APT75GP120B2G |
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Numero di parte futuro | FT-APT75GP120B2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 7® |
APT75GP120B2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 300A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 75A |
Potenza - Max | 1042W |
Cambiare energia | 1620µJ (on), 2500µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 320nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 20ns/163ns |
Condizione di test | 600V, 75A, 5 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT75GP120B2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT75GP120B2G-FT |
APT100GN60LDQ4G
Microsemi Corporation
APT102GA60L
Microsemi Corporation
APT50GT120LRDQ2G
Microsemi Corporation
APT64GA90LD30
Microsemi Corporation
APT80GA90LD40
Microsemi Corporation
APT150GN60LDQ4G
Microsemi Corporation
APT68GA60LD40
Microsemi Corporation
APT75GN60LDQ3G
Microsemi Corporation
APT35GN120L2DQ2G
Microsemi Corporation
APT50GR120L
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
XC7K325T-3FBG900E
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
A3P250-2FGG144
Microsemi Corporation
ICE40LP384-CM36TR
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC7D7F31C8N
Intel
AT6002LV-4JC
Microchip Technology