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Microsemi Corporation APT25GN120B2DQ2G

Numero parte MFG
APT25GN120B2DQ2G
quantità disponibile
43010 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 7.904
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Data di spedizione
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
- IGBT 1200V 67A 272W TMAX
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - IGBT - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-APT25GN120B2DQ2G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APT25GN120B2DQ2G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT, Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 67A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Potenza - Max 272W
Cambiare energia 2.15µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 155nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 22ns/280ns
Condizione di test 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3 Variant
Pacchetto dispositivo fornitore -
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT25GN120B2DQ2G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APT25GN120B2DQ2G-FT

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