casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRLI630GPBF
codice articolo del costruttore | IRLI630GPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRLI630GPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRLI630GPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 3.7A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 35W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLI630GPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLI630GPBF-FT |
NP22N055SLE-E1-AY
Renesas Electronics America
NP32N055SLE-E1-AY
Renesas Electronics America
NP34N055SLE-E1-AY
Renesas Electronics America
NP36P04SDG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP36P06SLG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP50P04SDG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP52N055SUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP55N03SUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP55N055SDG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP55N055SUG-E1-AY
Renesas Electronics America
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation