casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NP22N055SLE-E1-AY
codice articolo del costruttore | NP22N055SLE-E1-AY |
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Numero di parte futuro | FT-NP22N055SLE-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NP22N055SLE-E1-AY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta), 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252 (MP-3ZK) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP22N055SLE-E1-AY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NP22N055SLE-E1-AY-FT |
IRLR4343TR
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