casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NP32N055SLE-E1-AY
codice articolo del costruttore | NP32N055SLE-E1-AY |
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Numero di parte futuro | FT-NP32N055SLE-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NP32N055SLE-E1-AY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta), 66W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252 (MP-3ZK) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP32N055SLE-E1-AY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NP32N055SLE-E1-AY-FT |
IRLR4343TRL
Infineon Technologies
IRLR4343TRPBF
Infineon Technologies
IRLR4343TRR
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IRLR4343TRRPBF
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IRLR6225PBF
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IRLR6225TRPBF
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IRLR7807ZCPBF
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IRLR7807ZCTRRP
Infineon Technologies
IRLR7807ZPBF
Infineon Technologies
IRLR7807ZTR
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
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A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel