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Renesas Electronics America NP55N055SDG-E1-AY
- Numero parte MFG
- NP55N055SDG-E1-AY
- quantità disponibile
- 29460 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
- Il nostro prezzo
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Renesas Electronics America
- Breve descrizione
- - MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- NP55N055SDG-E1-AY.pdf
NP55N055SDG-E1-AY specificazioni
| codice articolo del costruttore | NP55N055SDG-E1-AY |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-NP55N055SDG-E1-AY |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| NP55N055SDG-E1-AY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 28A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta), 77W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252 (MP-3ZK) |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NP55N055SDG-E1-AY Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | NP55N055SDG-E1-AY-FT |
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