casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NP50P04SDG-E1-AY
codice articolo del costruttore | NP50P04SDG-E1-AY |
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Numero di parte futuro | FT-NP50P04SDG-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NP50P04SDG-E1-AY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5000pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta), 84W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252 (MP-3ZK) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP50P04SDG-E1-AY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NP50P04SDG-E1-AY-FT |
IRLR6225PBF
Infineon Technologies
IRLR6225TRPBF
Infineon Technologies
IRLR7807ZCPBF
Infineon Technologies
IRLR7807ZCTRRP
Infineon Technologies
IRLR7807ZPBF
Infineon Technologies
IRLR7807ZTR
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IRLR7807ZTRLPBF
Infineon Technologies
IRLR7807ZTRRPBF
Infineon Technologies
IRLR7811WCPBF
Infineon Technologies
IRLR7811WCTRLP
Infineon Technologies
A3PN015-1QNG68I
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A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
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A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
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XC4028XL-09HQ208C
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XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
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EP3SE80F780C4
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EPF10K30AQC208-1N
Intel