casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NP52N055SUG-E1-AY
codice articolo del costruttore | NP52N055SUG-E1-AY |
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Numero di parte futuro | FT-NP52N055SUG-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NP52N055SUG-E1-AY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 52A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta), 56W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252 (MP-3ZK) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP52N055SUG-E1-AY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NP52N055SUG-E1-AY-FT |
IRLR6225TRPBF
Infineon Technologies
IRLR7807ZCPBF
Infineon Technologies
IRLR7807ZCTRRP
Infineon Technologies
IRLR7807ZPBF
Infineon Technologies
IRLR7807ZTR
Infineon Technologies
IRLR7807ZTRLPBF
Infineon Technologies
IRLR7807ZTRRPBF
Infineon Technologies
IRLR7811WCPBF
Infineon Technologies
IRLR7811WCTRLP
Infineon Technologies
IRLR7811WCTRRP
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel