casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6775MTRPBF
codice articolo del costruttore | IRF6775MTRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6775MTRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6775MTRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Ta), 28A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 5.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1411pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MZ |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MZ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6775MTRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6775MTRPBF-FT |
IRF6665TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6665TRPBF
Infineon Technologies
IRF6706S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6706S2TRPBF
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IRF6708S2TR1PBF
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IRF6708S2TRPBF
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IRF6709S2TR1PBF
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IRF6709S2TRPBF
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IRF6710S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6710S2TRPBF
Infineon Technologies
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
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10AX115N3F40I3SGES
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