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Infineon Technologies IRF6710S2TRPBF

Numero parte MFG
IRF6710S2TRPBF
quantità disponibile
80010 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRF6710S2TRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRF6710S2TRPBF
Numero di parte futuro FT-IRF6710S2TRPBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF6710S2TRPBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 37A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 13V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 15W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET S1
Pacchetto / caso DirectFET™ Isometric S1
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6710S2TRPBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRF6710S2TRPBF-FT

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