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Infineon Technologies IRF6709S2TR1PBF

Name: IRF6709S2TR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6709S2TR1PBF
Availability: InStock
Rating: 4.7 (734 reviews)

Numero parte MFG: IRF6709S2TR1PBF

quantità disponibile: 94970 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF6709S2TR1PBF.pdf

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IRF6709S2TR1PBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF6709S2TR1PBF
Numero di parte futuro	FT-IRF6709S2TR1PBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF6709S2TR1PBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta), 39A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1010pF @ 13V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta), 21W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DIRECTFET S1
Pacchetto / caso	DirectFET™ Isometric S1
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6709S2TR1PBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF6709S2TR1PBF-FT

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