casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6710S2TR1PBF
codice articolo del costruttore | IRF6710S2TR1PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6710S2TR1PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6710S2TR1PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 37A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 13V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta), 15W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET S1 |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric S1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6710S2TR1PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6710S2TR1PBF-FT |
IRF6611TR1
Infineon Technologies
IRF6611TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6611TRPBF
Infineon Technologies
IRF6612TR1
Infineon Technologies
IRF6612TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6612TRPBF
Infineon Technologies
IRF6616
Infineon Technologies
IRF6616TR1
Infineon Technologies
IRF6616TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6619TRPBF
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel