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Infineon Technologies IRF6665TR1PBF

Name: IRF6665TR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6665TR1PBF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (10 reviews)

Numero parte MFG: IRF6665TR1PBF

quantità disponibile: 70730 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF6665TR1PBF.pdf

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IRF6665TR1PBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF6665TR1PBF
Numero di parte futuro	FT-IRF6665TR1PBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF6665TR1PBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.2A (Ta), 19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	62 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	530pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.2W (Ta), 42W (Tc)
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DIRECTFET™ SH
Pacchetto / caso	DirectFET™ Isometric SH
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6665TR1PBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF6665TR1PBF-FT

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