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Infineon Technologies IRF6665TRPBF

Numero parte MFG
IRF6665TRPBF
quantità disponibile
10910 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.36048
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRF6665TRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRF6665TRPBF
Numero di parte futuro FT-IRF6665TRPBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF6665TRPBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ SH
Pacchetto / caso DirectFET™ Isometric SH
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6665TRPBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRF6665TRPBF-FT

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