casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF1405ZL-7PPBF
codice articolo del costruttore | IRF1405ZL-7PPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF1405ZL-7PPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF1405ZL-7PPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 88A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5360pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 230W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263CA-7 |
Pacchetto / caso | TO-263-7 (Straight Leads) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF1405ZL-7PPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF1405ZL-7PPBF-FT |
IRF6708S2TRPBF
Infineon Technologies
IRF6709S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6709S2TRPBF
Infineon Technologies
IRF6710S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6710S2TRPBF
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IRF6720S2TR1PBF
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IRF6720S2TRPBF
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IRF6810STR1PBF
Infineon Technologies
IRF6810STRPBF
Infineon Technologies
IRF6614TRPBF
Infineon Technologies
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel