casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6720S2TR1PBF
codice articolo del costruttore | IRF6720S2TR1PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6720S2TR1PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6720S2TR1PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta), 17W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET S1 |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric S1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6720S2TR1PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6720S2TR1PBF-FT |
IRF6611TRPBF
Infineon Technologies
IRF6612TR1
Infineon Technologies
IRF6612TR1PBF
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