casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6720S2TR1PBF
codice articolo del costruttore | IRF6720S2TR1PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6720S2TR1PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6720S2TR1PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta), 17W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET S1 |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric S1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6720S2TR1PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6720S2TR1PBF-FT |
IRF6611TRPBF
Infineon Technologies
IRF6612TR1
Infineon Technologies
IRF6612TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6612TRPBF
Infineon Technologies
IRF6616
Infineon Technologies
IRF6616TR1
Infineon Technologies
IRF6616TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6619TRPBF
Infineon Technologies
IRF6620TR1
Infineon Technologies
IRF6620TR1PBF
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation