casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6614TRPBF
codice articolo del costruttore | IRF6614TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6614TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6614TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12.7A (Ta), 55A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 12.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2560pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ ST |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric ST |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6614TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6614TRPBF-FT |
IRF6616
Infineon Technologies
IRF6616TR1
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IRF6616TR1PBF
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IRF6619TRPBF
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