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codice articolo del costruttore | IPP032N06N3GXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP032N06N3GXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP032N06N3GXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 118µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 188W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP032N06N3GXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP032N06N3GXKSA1-FT |
IRFP4332PBF
Infineon Technologies
IRLP3034PBF
Infineon Technologies
IRF100P219XKMA1
Infineon Technologies
IRFP4227PBF
Infineon Technologies
IRF100P218XKMA1
Infineon Technologies
AUIRFP064N
Infineon Technologies
IRF250P224
Infineon Technologies
IRF300P226
Infineon Technologies
IRF200P223
Infineon Technologies
IRFP4229PBF
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel